1.2基片substrate：膜层承受体。

　　1.3试验基片testingsubstrate：在镀膜开始、镀膜过程中或镀膜结束后用作测量和(或)试验的基片。

　　1.4镀膜材料coatingmaterial：用来制取膜层的原材料。

　　1.5蒸发材料evaporationmaterial：在真空蒸发中用来蒸发的镀膜材料。

　　1.6溅射材料sputteringmaterial：有真空溅射中用来溅射的镀膜材料。

　　1.7膜层材料(膜层材质)filmmaterial：组成膜层的材料。

　　1.8蒸发速率evaporationrate：在给定时间间隔内,蒸发出来的材料量,除以该时间间隔

　　1.9溅射速率sputteringrate：在给定时间间隔内,溅射出来的材料量,除以该时间间隔。

　　1.10沉积速率depositionrate：在给定时间间隔内,沉积在基片上的材料量,除以该时间间隔和基片表面积。

　　1.11镀膜角度coatingangle：入射到基片上的粒子方向与被镀表面法线之间的夹角。

　　2工艺

　　2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使镀膜材料蒸发的真空镀膜过程。

　　2.1.1同时蒸发simultaneousevaporation：用数个蒸发器把各种蒸发材料同时蒸镀到基片上的真空蒸发。

　　2.1.2蒸发场蒸发evaporationfieldevaporation：由蒸发场同时蒸发的材料到基片上进行蒸镀的真空蒸发(此工艺应用于大面积蒸发以获得到理想的膜厚分布)。

　　2.1.3反应性真空蒸发reactivevacuumevaporation：通过与气体反应获得理想化学成分的膜层材料的真空蒸发。

　　2.1.4蒸发器中的反应性真空蒸发reactivevacuumevaporationinevaporator：与蒸发器中各种蒸发材料反应,而获得理想化学成分膜层材料的真空蒸发。

　　2.1.5直接加热的蒸发directheatingevaporation：蒸发材料蒸发所必须的热量是对蒸发材料(在坩埚中或不用坩埚)本身加热的蒸发。

　　2.1.6感应加热蒸发inducedheatingevaporation：蒸发材料通过感应涡流加热的蒸发。

　　2.1.7电子束蒸发electronbeamevaporation：通过电子轰击使蒸发材料加热的蒸发